2月10日消息 此前有报道称，高通或将在今年2月底的MWC 2018大展上推出自家中端6系产品线的最新产品——“骁龙670”。该报道一出，立刻在全球手机圈引发了轩然大波！而据外媒最新消息显示，骁龙670详细参数近日也被曝光出来。
报道称，德媒WinFuture主编、知名爆料人Roland Quandt最新撰文披露了这款SoC的一些规格资料。
骁龙670基于10nm工艺制造，CPU部分设计为2颗Kryo 300系列Gold大核以及6颗Kryo 300系列Silver小核（基于Cortex A55），最高主频2.6GHz，小核最高主频1.7GHz。
这推翻了此前4+4的Big.Little设计，比较意外。同时，每核心内件2KB L1缓存，每个丛集享有128KB L2缓存。
GPU是Adreno 615，可以实现430MHz、650MHz和700MHz+调频。
其他方面，闪存支持UFS 2.1和eMMC 5.1，基带集成X20系列，下行速度追上骁龙835的水平，达到1Gbps。
此前我们已经见识过骁龙670 CPU性能，GeekBench 4跑分单核心超1860、多核心超5250，相比于骁龙660单核提升约10％。
让人意外的是，此前曝光的骁龙670 CPU多核心分数与骁龙660相比，反而下降了10％！对此，爆料人Roland Quandt则表示，早先中国所谓数码爱好者的泄露完全是在胡说八道，他拿到的信息基于高通的官方代码文档，可信度更高。